Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования
Серия: Электроника
Автор: М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков
Издательство: Бином. Лаборатория знаний
Год выпуска: 2009
ISBN: 978-5-94774-585-6, 978-5-94774-583-2
Формат: 60x90/16
Кол-во страниц: 424
Описание: Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области
Цена: 435 руб.
Знаете ли Вы, что ...
Фактор риска
Фактор риска (riskfactor) - характерный признак, такой, как привычка человека (например, курение) или воздействие ...
Действие мутагенное
Действие мутагенное - влияние факторов, вызывающих изменение генотипа как в естественных, так и в искусственно созданных ...
Болезнь
Болезнь - это реакция организма на его повреждение. Различают следующие причины болезней: 1) механические (закрытые и открытые ...
